AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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我々は熱アニーリングによるSi/SiGeシステムにおける構造変形を原子間力顕微鏡(AFM)と高分解能x線回折(HRXRD)によって研究した。(004)ロッキングカーブ測定では, プレアニーリング試料から得たロッキングカーブの明確な振動が徐々にずれ、アニーリング温度を上げるにつれ完全に消えたことを示した。これはきれいなSi/SiGe界面が徐々に破壊されたことを示す。高分解能逆格子マップ(HRRSM)測定におけるSi基板に関してのピークの広がりとSiGeエピ層の相対位置の分析はSi/SiGeシステムでのモザイク構造の形成を明確に表した。AFM測定から内部変形はクロスハッチ構造として知られている表面の凹凸を誘起することを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
森 雅之
富山大学工学部
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
丹保 豊和
富山大学理工学研究科
-
鄭 樹啓
富山大学工学部
-
川島 将英
富山大学工学部
-
丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
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