Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_<0.75>Ge_<0.25>合金のMBE成長
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概要
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段階的に積層した(Si_m/Ge_n)_N超格子(SLs)をバッファー層として、Si(001)基板上にSi_<0.75>Ge_<0.25>合金層をMBE法で成長させた。合金層の残留歪、表面ラフネス、転位をそれぞれX線回折(XRD)、原子間力顕微鏡(AFM)、断面透過型電子顕微鏡(XTEM)で評価した。1段階(Si_<14>/Ge_1)_<20>バッファー層の挿入で自乗平均(RMS)表面ラフネスは、バッファー層なしに比べて、大きく減少した。超格子内のGeが1原子層モードから2原子層モードに変わったとき、RMSラフネスは変化した。XTEM像から、SLバッファー層はバッファー層内に転位を導入することによって、あるいは基板内に転位を押し戻すことによって、合金層の歪み緩和を促進することを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-19
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
ラーマン M>m.
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
-
又多 秀昭
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
ラーマン M>M.
富山大学工学部電気電子システム工学科
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