Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 人口的構造や制御された原子的配列をもつ低次元材料作成の可能性は、ナノエレクトロニクス時代に向けての展望に重要である。本研究において、我々は、Si(001)面上のIn誘起(4×3)表面再構成がSb吸着の動力学を変化させ、(8×2)+(4×2)構造が混在した新しいSb-Si表面相の形成を引き起こすことを示す。RHEED、AES、STMによる実験結果から、この(8×2)+(4×2)構造の原子配列モデルと可能な形成プロセスのモデルを示す。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-11-03

著者

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 龍山 智栄

  富山大学工学部

• 古川 雄三

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• GRUZNEV Dimitry

  富山大学工学部

• 大村 一剛

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電子情報工学科

• Gruznev D

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部

関連論文

• 5個のフォトダイオードを用いて太陽をサーチする光センサ
• 3a-BG-12 GaSeのフォトルミネッセンス III
• 10a-Q-2 GaSeのフォトルミネッセンスII
• 太陽追尾のための2軸光センサ
• 天空の太陽をサーチする簡便な方法
• InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 14a-S-12 GaSe,InSeの酸化過程
• 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
• C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 1p-K-19 V_2O_3の高温転移近傍でのラマン散乱(III)
• GaSe層間化合物の光吸収とXPSスペクトル(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a-NGH-6 V_2O_3高温転移近傍におけるラマン散乱による観察
• 2a-NL-11 GaSeインターカレーション化合物の光吸収とXPSスペクトル
• GaSe層間化合物の電気的,光学的性質
• 酸化バナジウムの金属-絶縁体転移
• 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
• (0001)面サファイア基板上のGaNの気相エピタキシャル
• 9a-S-5 クロロフィル累積膜の光電特性(II)
• GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性
• GaNの結晶成長とその電気的性質
• 11p-F-15 半導体における電子-正孔対不安定性
• 5p-Q-4 GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電界発光
• 4a-KL-10 GaSeの磁気抵抗効果
• 傾斜方位を測定する光センサ
• 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
• パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
• GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
• 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
• 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
• 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
• C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
• Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
• Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
• Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
• 層状半導体の電気的特性
• BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長
• 厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別
• 室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
• イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (シリコン材料・デバイス)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
• 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
• 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
• 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
• 27p-D-12 色素分子の螢光・ラマン散乱における下地金属依存
• Si(100)-2×1面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• Si (100) -2×1 面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• 5a-E-9 Si(100)-2×1面上でのGe薄膜の初期成長過程
• 2a-TC-8 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱
• Si(111)7×7および(100)2×1清浄表面におけるGeの初期成長過程と超構造(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 27p-Y-8 LEED/AESによるGe on Siの観察
• 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
• 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
• 6a-KF-3 アントラセン蒸着膜の電気的および光学的特性(その1)
• 5p-KF-14 Si,Ge配位フタロシアニンの電気的特性(その1)
• 25a-K-3 有機電荷移動錯体の光電特性I
• 25a-G-2 GaSe-ZnSeヘテロ接合の光電特性II
• C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
• C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
• C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子部品・材料)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子デバイス)
• 12p-D-2 酸化バナジウム蒸着膜のECとXPS
• 27p-B-8 (V_Cr_x)_2O_3のラマン散乱とM-I転移
• 表面・界面反応制御による高品質薄膜成長法の開発(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
• (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
• XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
• 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
• III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
• 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
• 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
• 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
• アントラセン蒸着膜の光学的特性と電場発光(1)
• 傾斜方位を測定する光センサ
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• (V_1-_XCr_X)_2O_3(x
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si(111)-√7×3-In 表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
• Si(111)基板上での30ﾟ回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク