MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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我々はSrの照射によるSi(001)面の変化と、それを用いたSrO,SrTiO_3(STO)とBi_2Sr_2CuO_x(BSCO)薄膜の成長について、RHEED,AFM、XPSを用いて研究を進めている。膜の堆積はMBEチャンバー内においてなされた。Si(001)基板上に化学的に形成されたSiO_2層は基板温度800℃の下でSrにさらすことで取り去られ、そのRHEEDパターンにおいては安定でかなり規則正しい(2×1)構造が明瞭に観測される。エピタキシャBSCO膜は、Si(001)上に直接成長できない。それ故にダブルSTO/SrOバッファー層がSi(001)-Sr(2×1)表面上に成長されている。 XRDパターンはSTO/SrO/Si上に結晶性BSCO膜が成長することを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-03
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
Bhuiyan M.
富山大学工学部
-
松田 晶詳
富山大学工学部
-
丹保 豊和
富山大学工学部
-
安村 毅
富山大学工学部
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