BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々はSi上に高品質なBi系高温酸化物超伝導体薄膜を分子線エピタキシャル成長方法で作製することを目的として研究を進めている。今回バッファー層としてSrOを用いた。SrOは大気中の水や二酸化炭素と反応しやすい物質であるが、SiやBi_2Sr_2CuO_xとは約5%の小さな格子不整合を持っておりヘテロエピタキシャルが期待される材料である。清浄Si表面に30nmのSrO層を積み、その上に100nmのBi_2Sr_2CuO_x薄膜を作製した。600℃の成長温度で結晶性のBi_2Sr_2CuO_x薄膜が成長できるが大気中で劣化をする。そこでこのサンプルのアニーリングや2段階成長を試みた。もっとも高品質なBi_2Sr_2CuO_x薄膜は、600℃と700℃の2段階成長で得られた。
- 2000-10-19
著者
関連論文
- 5個のフォトダイオードを用いて太陽をサーチする光センサ
- 太陽追尾のための2軸光センサ
- 天空の太陽をサーチする簡便な方法
- 傾斜方位を測定する光センサ
- 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
- パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
- GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
- 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
- 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
- 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
- Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
- BSCO薄膜のSi(001)面へのヘテロエピタキシャル成長
- 厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別
- 室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
- イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
- (357)富山大学工学部における中学生向け体験入学について(セッション105 生涯学習支援・地域貢献・地場産業との連携V)
- Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
- 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
- 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
- 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
- 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
- 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
- Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
- 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
- MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
- (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
- XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
- 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
- III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
- 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
- 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
- 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
- アントラセン蒸着膜の光学的特性と電場発光(1)
- 傾斜方位を測定する光センサ