10a-Q-2 GaSeのフォトルミネッセンスII

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1977-09-20

著者

• 須藤 誠

  富山大 工

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 須藤 誠

  富山大工

• 龍山 智栄

  富山大工

• 市村 昭二

  富山大工

• 市村 昭二

  富山大 工

関連論文

• 3a-BG-12 GaSeのフォトルミネッセンス III
• 10a-Q-2 GaSeのフォトルミネッセンスII
• 4a-G-2 GaSeのフォトルミネスセンス
• 14a-S-12 GaSe,InSeの酸化過程
• 1p-K-19 V_2O_3の高温転移近傍でのラマン散乱(III)
• GaSe層間化合物の光吸収とXPSスペクトル(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a-NGH-6 V_2O_3高温転移近傍におけるラマン散乱による観察
• 2a-NL-11 GaSeインターカレーション化合物の光吸収とXPSスペクトル
• GaSe層間化合物の電気的,光学的性質
• 酸化バナジウムの金属-絶縁体転移
• 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
• (0001)面サファイア基板上のGaNの気相エピタキシャル
• 9a-S-5 クロロフィル累積膜の光電特性(II)
• GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性
• GaNの結晶成長とその電気的性質
• 11p-F-15 半導体における電子-正孔対不安定性
• 5p-Q-4 GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電界発光
• 4a-KL-10 GaSeの磁気抵抗効果
• 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
• 1a-CK-5 NMP-TCNQ の帯磁率の温度依存性
• 7p-N-3 GaSeの閉管昇華法結晶成長における温度DIPの効果
• 4a-G-1 Phonon Assisted Optical Transition in GaSe
• 30a-E-6 インターカレーションGaSeの光学的電気的特性
• パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
• 29p-P-1 SnO_2多結晶薄膜のEnergy BandのXPSによる考察
• 31a GR-3 半無限1次元系の電子状態密度 : 不純物のある場合
• GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
• 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
• 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
• 表面吸着分子の増大赤外吸収
• 5a-NS-4 吸着分子の赤外吸収
• 5a-NS-3 吸着分子のラマン散乱-電子・正孔対励起の役割-
• 吸着状態密度に及ぼす不純物効果
• 2a GC-7 Thionine-TCNQ錯塩のESR
• 分子性結晶混晶の表面励起子
• フレンケル励起子の表面自縛状態
• 半無限混晶における局在電子状態の理論
• 固体表面の素励起--表面ポ-ラロン,表面励起子について
• 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
• 5p-AE-3 混晶の表面励起子
• 31a-CK-6 クロロフィル三重項状態に対するクエンチャーの効果
• 31a-CK-5 表面励起子のセルフトラッピング
• 6a-P-1 表面励起子の理論 III
• AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
• Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
• Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
• 層状半導体の電気的特性
• 共役系直鎖分子の非局在化励起
• 有効質量の異方性によるシリコンのピエゾ抵抗の一つのモデルとそのM.O.S.T.'sへの応用
• n型ゲルマニゥムの光ピエゾ抵抗効果
• 2a-NM-4 Si(100)-2×1構造のLEED観察とモデルパラメータの考察
• 28a-P-10 Si(111)-7×7表面構造のRipple Modelによる考察
• 2a GC-5 TMPD・TCNQ錯塩のESR温度依存性
• 2a GC-4 TMPD・TCNQ錯体の電気的特性 (II)
• 5a-AE-3 TMPO・TCNQ錯塩の合成と電気的特性
• 29p-D-8 金属(TCNQ)錯塩のメモリー・スイッチング現象
• 厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別
• 室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
• イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
• 31p-CK-4 アントラセン蒸着膜形成過程と Annealing 効果
• 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
• 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
• 29a-Q-10 Metal-SiPc-Metal型セルの整流特性と光起電力
• 29a-Q-8 Metal-光合成色素-Metal型セルの整流作用と光起電力効果
• 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
• 27p-D-12 色素分子の螢光・ラマン散乱における下地金属依存
• Si(100)-2×1面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• 5a-E-9 Si(100)-2×1面上でのGe薄膜の初期成長過程
• 2a-TC-8 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱
• Si(111)7×7および(100)2×1清浄表面におけるGeの初期成長過程と超構造(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 27p-Y-8 LEED/AESによるGe on Siの観察
• 5p-P-9 Ge,Si-フタロシアニンの電気的特性(3)
• 5p-K-2 Si-Ge化合物半導体のピエゾ抵抗特性
• 分子性結晶における表面励起子の理論
• 励起子のプラズモン-フォノンサイドバンド
• 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
• 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
• 6a-KF-3 アントラセン蒸着膜の電気的および光学的特性(その1)
• 5p-KF-14 Si,Ge配位フタロシアニンの電気的特性(その1)
• 25a-K-3 有機電荷移動錯体の光電特性I
• 25a-G-2 GaSe-ZnSeヘテロ接合の光電特性II
• Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
• 12p-D-2 酸化バナジウム蒸着膜のECとXPS
• 27p-B-8 (V_Cr_x)_2O_3のラマン散乱とM-I転移
• 表面・界面反応制御による高品質薄膜成長法の開発(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
• (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
• XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
• 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
• III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
• 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
• 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
• 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
• (V_1-_XCr_X)_2O_3(x
• 3a-D3-6 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱(3a D3 イオン結晶・光物性(ラマン散乱・微粒子・表面),イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク