Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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• Si(111)-(7×7)再構成表面上に適切な条件の下でInを蒸着することにより、Inナノクラスターの規則正しい配列構造が形成されることが報告されている。このような金属ナノクラスターの規則正しい配列構造は、超高密度記録やナノ触媒などへの応用が期待されるものである。今発表では、このInナノクラスター配列構造上へSbを蒸着することで得ることができる、Inナノクラスターと同様の構造でSbを構成要素として持つ新しいナノクラスターの形成について報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-11-05

著者

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 斉藤 光史

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 斉藤 光史

  富山大学vbl

• 龍山 智栄

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• 斉藤 光史

  富山大学工学部

• 佐々木 透

  富山大学工学部

• 佐々木 寛和

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部

• 斉藤 光史

  首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻

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