斉藤 光史 | 富山大学vbl

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概要

• 同名の論文著者
• 富山大学vblの論文著者

関連著者

• 斉藤 光史

  富山大学vbl

• 森 雅之

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学工学部

• 斉藤 光史

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 斉藤 光史

  首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻

• 上田 広司

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電気電子システム工学科

• 吉田 達雄

  富山大学工学部

• 斉藤 光史

  富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 長島 恭兵

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学理工学研究科

• 丹保 豊和

  富山大学工学部

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 斉藤 光史

  富山大学

• 龍山 智栄

  富山大学工学部

• 前澤 宏一

  富山大学理工学研究部(工学)

• 山下 勇司

  富山大学工学部

• 斉藤 光史

  富山大学工学部

• 佐々木 透

  富山大学工学部

• 佐々木 寛和

  富山大学工学部

• 丹保 豊和

  富山大学工学部電子情報工学科

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

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著作論文

• 表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(研究員報告)
• Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(111)-√7×3-In 表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

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