森 雅之 | 富山大学工学部
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概要
関連著者
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森 雅之
富山大学工学部
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前澤 宏一
富山大学工学部
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前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
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前澤 宏一
富山大学 工学部電気電子システム工学科
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前沢 宏一
NTT LSI研究所
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前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
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前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
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前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
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前澤 宏一
早大理工
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森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
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森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
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森 雅之
富山大学理工学教育部
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森 雅之
富山大学大学院理工学研究部
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森 雅之
富山大学理工学教育学部
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前澤 宏一
富山大学理工学教育学部
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中谷 公彦
富山大学工学部
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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前澤 宏一
富山大学理工学研究部(工学)
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丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
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丹保 豊和
富山大学理工学研究科
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丹保 豊和
富山大学工学部
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龍山 智栄
富山大 工
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斉藤 光史
富山大学vbl
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龍山 智栄
富山大学工学部
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丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
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斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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上田 広司
富山大学工学部
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早野 一起
富山大学理工学教育部
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潘 杰
富山大学大学院理工学研究部
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笠原 康司
富山大学大学院理工学研究部
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中山 幸二
富山大学大学院
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斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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古川 雄三
富山大学工学部
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GRUZNEV Dimitry
富山大学工学部
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Gruznev D
富山大学工学部
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安井 雄一郎
富山大学大学院
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中谷 公彦
富山大学大学院
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岩杉 達矢
富山大学工学部
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角田 梓
富山大学工学部
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柴田 真吾
富山大学大学院理工学研究部
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吉田 達雄
富山大学工学部
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笠原 康司
富山大学理工学教育部
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中野 純
富山大学理工学教育部
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大勝 崇外
富山大学理工学教育部
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斉藤 光史
富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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長島 恭兵
富山大学工学部
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大村 一剛
富山大学工学部
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中野 純
富山大学理工学教育部:研究部
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早野 一起
富山大学大学院理工学研究部
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カマセ サラ
富山大学
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田村 悠
富山大学理工学研究科
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高岡 和央
富山大学大学院理工学研究部
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赤松 和弘
日鉱金属株式会社
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柴田 真吾
富山大学理工学教育部
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松田 憲治
富山大学理工学教育部
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藤城 翔
富山大学理工学研究部
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坂本 智哉
富山大学理工学研究部
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新海 靖人
富山大学理工学教育部
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赤松 和弘
(株)日鉱金属
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大江 隆
富山大学理工学教育部
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山下 勇司
富山大学工学部
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村田 和範
富山大学理工学研究科
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アハド ノルスルヤティ-ビンティ
富山大学理工学研究科
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鄭 樹啓
富山大学工学部
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川島 将英
富山大学工学部
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斉藤 光史
富山大学工学部
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佐々木 透
富山大学工学部
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佐々木 寛和
富山大学工学部
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RAO Bommisetty
富山大学工学部
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新海 靖人
富山大学理工学教育部:富山大学理工学研究部
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大勝 崇外
富山大学理工学教育部:研究部
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柴田 知明
富山大学理工学教育部
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柴田 知明
富山大学理工学教育部:研究部
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潘 傑
富山大
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中山 幸二
富山大学工学部
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斉藤 光史
富山大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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高岡 和央
富山大学理工学教育学部
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高岡 和央
富山大学理工学研究部
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前澤 宏一
富山大
著作論文
- InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-1 Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-22 Fluidic Self-Assembly (FSA)のためのInP HEMTブロックの作製(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-12 共鳴トンネルダイオードペアを用いた3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
- Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (シリコン材料・デバイス)
- C-10-17 Fluidic Self-Assembly(FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
- C-10-20 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発振器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子部品・材料)
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 (電子デバイス)
- 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-16 RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si(111)-√7×3-In 表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Si(111)基板上での30ﾟ回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果