Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、SI基板に対して30゜回転し、結晶性や電気的特性を改善できる.これまでは2×2-Inや√3×√3-In表面再構成を用いてきたが、Sb原子吸着時のIn原子脱離現象等により基板表面全体を均一なInSb単分子層で覆うことができないため、成長膜中に回転せずに低品質の結晶が含まれていた.今回は初期層としてIn被覆量が多いSi(111)-√7×√3-In表面再構成を用いたInSb単分子層の形成とその上のInSb薄膜成長を試みた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
富山大学vbl
-
吉田 達雄
富山大学工学部
-
上田 広司
富山大学工学部
-
長島 恭兵
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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