スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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本研究では、InSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性を利用し、スピン偏極した電流電圧特性の解析を行った。InSbは有効質量が小さいためスピン分離量が大きいので、外部磁場なしでスピン分離量評価が可能であると考えられる。また本手法では、各準位の広がりとスピン分離を共に考慮したモデルでスピン偏極した共鳴トンネル電流を表現した。
- 2011-07-22
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
藤田 昌成
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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