ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討
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概要
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GaInP/GaAs TBRTDの電流密度電圧特性の温度依存性シミュレーション結果を用いて、バンド不連続量を評価する手法を提案し検討した。ΔE_C抽出の条件として、利用する温度依存性の範囲が200K〜300Kである事を明らかにした。抽出されたΔE_Cの値の精度はΔE_C〜160〜240meVの範囲で、誤差-10%以内であることを確認した。
- 2000-07-21
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
大木 進
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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