AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術(マイクロオリガミ)を適用し,界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)の影響を調べた。本研究ではこの技術の基本的な構造を用い,有限要素法および有限差分法を用いることで以下の解析を行った。1.AlGaN/GaNヘテロ構造における格子歪みと曲げ変形,2.曲げ変形に伴うピエゾ分極の変化,3.ピエゾ分極の変化に伴う2DEGの変化。解析の結果,Al_<0.2>Ga_<0.8>Nの場合,2DEGが約37%減少することがわかった。この結果から,マイクロオリガミ技術を用いることで,従来の歪み技術の限界を超えて2DEGを制御できる可能性があることを示した。
- 2008-11-20
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