中村 成志 | 首都大学東京大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
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奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
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奥村 次徳
首都大学東京
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中村 成志
首都大学東京
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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高橋 紀行
首都大学東京
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東京都立大・電気
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須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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束原 肇
首都大学東京
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須田 将之
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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大園 智章
首都大学東京
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中村 成志
首都大東京
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奥村 次徳
首都大東京
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袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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落合 俊輔
首都大学東京大学院理工学研究科
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星野 晃一
首都大学東京大学院理工学研究科
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福田 裕司
首都大学東京
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渡辺 大介
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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江口 和良
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
- Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討
- 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
- SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定