束原 肇 | 首都大学東京
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
束原 肇
首都大学東京
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京
-
中村 成志
首都大東京
-
奥村 次徳
首都大東京
-
福田 裕司
首都大学東京
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)