奥村 次徳 | 首都大学東京
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
高橋 紀行
首都大学東京
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
冨岡 紘斗
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
品田 唱秋
東京都立大学工学部電子・情報工学科
-
井城 悠一
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
束原 肇
首都大学東京
-
直井 護
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
品田 唱秋
東京都立大学 工学部 電子・情報工学科
-
井城 悠一
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
直井 護
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
高井 まどか
「応用物理」編集委員会
-
高井 まどか
東大
-
清水 暁人
首都大学東京大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
大園 智章
首都大学東京
-
中村 成志
首都大東京
-
奥村 次徳
首都大東京
-
石原 宏
東京工業大学
-
尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
-
大橋 良子
慶大理工
-
渡邉 恵理子
日本女子大学
-
落合 俊輔
首都大学東京大学院理工学研究科
-
田中 倫子
東大工
-
星野 晃一
首都大学東京大学院理工学研究科
-
小舘 香椎子
日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻
-
山田 明
東工大
-
岩本 敏
東大ナノ量子機構
-
中村 淳
電通大電子
-
吉野 淳二
東工大院理工
-
白木 靖寛
都市大総研
-
駒井 友紀
日本女子大学理学部
-
五明 明子
日本電気
-
駒井 友紀
日本女子大学 理学部数物科学科
-
駒井 友紀
日本女子大
-
尾浦 憲治郎
阪大工
-
槌田 博文
オリンパス(株)
-
谷川 ゆかり
産総研
-
渡邉 恵理子
日本女子大学 理学部
-
石原 宏
東工大
-
石川 和枝
上智大
-
菅谷 綾子
ニコン
-
島田 純子
科学技術振興機構
-
下川 貴久技
KickE
-
小舘 香椎子
日本女子大学 理学部数物科学科
-
白木 靖寛
東京都市大学(旧武蔵工業大学)
-
植木 絵理
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
松坂 則彦
首都大学東京大学院工学研究科電気工学専攻
-
松浦 永悟
首都大学東京大学院工学研究科電気工学専攻
-
中村 淳
電通大
-
尾浦 憲治郎
阪大
-
吉野 淳二
東工大
-
吉野 淳二
東工大・工
-
白木 靖寛
東京都市大学
-
岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
岩本 敏
東大
-
田中 倫子
東大
-
小舘 香椎子
日本女子大学理学部数物科学科
-
石原 宏
東工大工
-
福田 裕司
首都大学東京
-
奥村 次徳
都立大工
-
高井 まどか
東大院工
-
山田 明
東工大量子セ
-
槌田 博文
オリンパス
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
五明 明子
Nec基礎・環境研究所
-
小舘 香椎子
日本女子大学
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
島田 純子
科学技術振興事業団
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 人材育成
- C-10-10 テラヘルツ帯オンチップ自己補対アンテナの広帯域特性に対する半導体集積構造の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-4 GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- B-1-58 スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-10-9 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- B-1-41 左手系伝送線路における漏れ波の周波数及び空間分離性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
- Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討
- 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 21世紀の技術者・研究者と男女共同参画
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価