朝岡 直哉 | 東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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概要
関連著者
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朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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著作論文
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- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- C-10-4 高周波重畳したGaInP/GaAs三重障壁ダイオードの特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価