須原 理彦 | 東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
福光 政和
東京都立大学大学院工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
堀江 元
東京都立大学大学院工学研究科
-
須田 将之
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
船戸 裕樹
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
岡山 政憲
東京都立大学電子・情報工学科
-
岡山 政憲
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
冨岡 紘斗
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
冨岡 紘斗
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
江口 和良
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
大木 進
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
渡辺 大介
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
村上 亮
東京都立大学電子・情報工学科
-
Seifert Werner
ルンド大学固体物理学科
-
柴宮 信
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
Wernersson Lars-Erik
ルンド大学固体物理学科
-
Seifert W
ルンド大学固体物理学科
-
本多 孝範
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻:首都大学東京都市教養学部理工学系電気電子工学コース
-
奥村 次徳
東京都立大学工学研究科電気工学専攻:首都大学東京都市教養学部理工学系電気電子工学コース
著作論文
- C-10-4 高周波重畳したGaInP/GaAs三重障壁ダイオードの特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-1-142 ミリ波帯小型平面自己補対スパイラルアンテナの広帯域特性のサイズ依存性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- C-10-9 共鳴トンネルダイオードを用いた高周波アクティブインダクタの構成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
- SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定
- ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- C-2-47 インダクタンスと占有面積を一定とした平面型スパイラルインダクタにおける線幅変調効果の影響の理論解析(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- B-1-95 小型平面型ログスパイラルアンテナの広帯域特性の端部形状依存性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),通信1)
- 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析(学生研究会, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-46 薄膜スパイラルインダクタ諸特性に対するサイズ縮小効果の理論解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ケルビンフォース顕微鏡を用いたデバイス断面ポテンシャル観測のための一検討
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価
- C-10-2 共鳴トンネルダイオードの自励発振に関する数値解析
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価
- ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討
- ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価