SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定
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概要
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ケルビン法と表面光起電力(SPV)法を用いて、SOIウェーハの非接触電気評価を行った。励起光として紫外光を用いることにより、非常に薄いSOI層のバンド曲がりを評価することができた。一方、励起光として赤外光を用いた場合には、埋め込み酸化層-支持基板界面のようなSOIウェーハの内部領域まで評価することができた。また、Fe汚染したSOIウェーハについてもSPV測定を行い、Fe汚染によるSOI層の電気的特性の変化を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-30
著者
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
江口 和良
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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