高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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GaInP/GaAs共鳴トンネルダイオードメサ形成プロセスに,アルゴン高速原子ビームによるドライエッチング手法を用い,従来のウェットエッチング手法と比較して,その有用性を検証した。また,将来のショットキーゲート形成による共鳴トンネルデバイスの微細化・3端子化プロセスヘのFABエッチング適用を目指して,GaAs表面へのアルゴン高速原子ビーム照射の影響をショットキーダイオードの電流-電圧特性から評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-04
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
堀江 元
東京都立大学大学院工学研究科
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
福光 政和
東京都立大学大学院工学研究科
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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