Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2006-06-30
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
SUHARA Michihiko
Division of Electrical and Electric Engineering, School of Science and Engineering, Faculty of Urban
-
MATSUZAKA Norihiko
Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University
-
FUKUMITSU Masakazu
Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University
-
OKUMURA Tsugunori
Division of Electrical and Electric Engineering, School of Science and Engineering, Faculty of Urban
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