ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動
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概要
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p型InPに導入されるプラズマ損傷の振る舞いを、C-V法を中心に評価した。プラズマ照射誘起欠陥には2種類あり、そのうちの一つは、照射直後に77Kに急冷し2日間保存することにより、極表面に固着されることを見出した。もう一つの欠陥は原子状の水素であり、プラズマチャンバーから混入したものと考えられる。これらの欠陥のバイアス下での拡散は、それぞれ特徴的な振る舞いを示すことを明らかにした。
- 2000-07-21
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
本多 孝範
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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