電気化学STMを用いたGaAs表面観察と局所加工
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概要
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電解液中でSTM探針により, GaAs表面を5-10nmのオーダでコントロールしてエッチングできることを示した. このエッチングはNiイオンを含むめっき液中でも同様にして行うことができる. 局所的な電解エッチングのメカニズムを検討し, STM探針からn-GaAs表面への正孔注入によるものであることを明らかにした. また, めっき液中においては, 鏡像電荷を誘起する方法を用いて, STM探針直下に金属をドットの形で電解析出させることもできる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-15
著者
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奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大・電気
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兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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兼城 千波
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻:(現)北海道大学工学部量子界面エレクトロニクス研究センター
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兼城 千波
北大
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奥村 次徳
東京都立大学
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