フォトリフレクタンス法によるInGaP-HBTエミッタ/ベース界面の評価 : 光起電力効果の検討
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概要
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ヘテロ接合バイポーラトラジスタ(HBT)を作製するには, 有機金属気相成長方などで形成されたエピタキシャルウエハが使用される。これらHBTエピタキシャルウエハの結晶特性を非破壊で評価する手法が望まれている。我々は, エミッタにInGaP, ベースに炭素ドープGaAsを使用したInGaP-HBTエピウエハにフォトリフレクタンス(PR)法を適用した。エミッタ(E)/ベース(B)ダイオード構造試料により光起電力の測定を行い, その振舞いを集中回路モデルで定量的に説明した。これを用いてPRスペクトルのフランツ-ケルディッシュ振動(FKO)から求められるE/B界面の電界強度に光起電力が与える影響を定量的に明らかにした。更に, ダイオード構造試料での取扱いを無加工ウエハに拡張し, PR法による非破壊InGaP-HBTウエハの観測電界強度を説明することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
城川 潤二郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
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城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大・電気
-
植田 菜摘
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
奥村 次徳
東京都立大学
-
石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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