GaNP SQWを用いた青色LED (<小特集>窒化物・青色光半導体)

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概要

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III-V-N型混晶は、その大きなバンドギャップボーイングにより、わずかにAs又はPの混晶比を変えることによって赤、緑、青等幅広く可視領域の発光が期待される材料である。今回、光照射MOCVD法によりGaNPの結晶成長を検討した。ArFレーザを成長中に基板表面に照射することで、より低温で原料ガスを分解し比較的低い温度でGaNPを成長しPの取り込みを増加した。その結果、P組成が10%程度の混晶を得ることができた。このP組或は従来の報告の中では最も高い値である。さらにサファイア基板上にn-GaN/i-GaNP/p-GaNのSQW構造を作成し、GaNPLEDを作成しELにより室温で425nm付近に発光ピークをもつLEDの発光を確認した。
2001-06-08

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