MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
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概要
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GaN was grown on the Si (111) substrate using MOCVD. The growth conditions of a buffer layer were investigated at 600-850℃. The optimum buffer layer condition was confirmed. As a result, a homogeneous GaN layer without cracking was obtained.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
吉田 清輝
古河電工(株)横浜研究所
-
伊東 義曜
古河電工(株)横浜研究所
-
李 江
古河電工(株)横浜研究所
-
和田 崇宏
古河電工(株)横浜研究所
-
竹原 洋斉
古河電工(株)横浜研究所
-
李 江
古河電工
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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