4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
In this paper, we successfully demonstrate an AlGaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8kV on 4-inch Si substrates. In order to obtain the high breakdown voltage, a thick GaN epitaxial layer including a buffer layer with a total thickness of over 6um was grown. The breakdown voltage and the maximum drain current were achieved to be over 1.8kV and 120A, respectively. Furthermore, the suppression of the current collapse phenomenon is examined. The on-resistance is not so significantly increased up to the high drain off-bias-stress of 1.0kV due to the field-plate effect from the backside.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-16
著者
-
佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
古河電工
-
佐藤 義浩
古河電工横浜研究所
-
加藤 禎宏
古河電工横浜研究所
-
池田 成明
古河電工横浜研究所
-
賀屋 秀介
古河電工横浜研究所
-
李 江
古河電工横浜研究所
-
古川 拓也
古河電工横浜研究所
-
李 江
古河電工
-
池田 成明
古河電工
-
古川 拓也
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
賀屋 秀介
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
関連論文
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
- 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
- ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500V/2A動作
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- Si基板上高出力AlGaN/GaN HFETにおけるVb/Ronの改善
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
- ラマン分光法による半導体表面温度の測定
- GaAsP組成傾斜型ベ-スHBTの開発
- MOCVD法によるInP系HBTの開発
- Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発
- Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET
- Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化
- Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET