光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaNP系発光材料は大きなバンドギャップボーイングが期待され,Pの組成比を変えることによって紫外から赤色まで幅広く発光が期待される.光照射MOCVD法によりNリッチGaInNPの結晶成長を行いGaInNP MQWのLED構造を作成した.サファイア基板上にn-GaN/ (GaInNP/GaN, 3ペア)/p-GaNのMQW構造を形成し,LEDを試作した.GaInNPのLEDのエレクトロルミネッセンス(EL)発光を調べたところ,445 nmの高輝度の青色発光が観察された.従来InGaN系だけでなくGaNP系材料も青色LEDとして有望であることが実証された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
李 江
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
李 江
古河電工
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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