GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
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概要
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- 2007-11-30
著者
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
神林 宏
古河電工 横浜研究所
-
野村 剛彦
古河電工 横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工 横浜研究所
-
神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
新山 勇樹
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
新山 勇樹
古河電工
-
大友 晋哉
古河電工
-
野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
野村 剛彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
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