Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-10-27
著者
-
佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
古川 拓也
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
田村 亮祐
次世代パワーデバイス技術研究組合
関連論文
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
- 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
- ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500V/2A動作
- GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- SC-6-5 波長ロッカー内蔵, 高出力 DFB レーザモジュール : 固定波長, 波長可変
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- C-4-44 25GHz間隔波長モニタ内臓DFBレーザモジュール
- SC-2-9 50GHz間隔波長モニタ内蔵40mW CW DFBレーザモジュール
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- Si基板上高出力AlGaN/GaN HFETにおけるVb/Ronの改善
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz×20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- SMファイバMT-RJ光トランシーバモジュール
- 導波路PDとトランスインピーダンスアンプを内蔵したSCレセプタクル型プラスチック受信モジュール
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-4-31 電子冷却素子内蔵 Mini-DIL サイズ DFB LD モジュールの開発
- SC-3-7 MT-RJ Optical Sub Assemblyのクロストーク解析
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
- ラマン分光法による半導体表面温度の測定
- GaAsP組成傾斜型ベ-スHBTの開発
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発
- Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET
- Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化
- Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET