大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報告する。この構造では、MOSゲートによるノーマリオフ動作と、AlGaN/GaNヘテロ接合利用によるゲート・ドレイン間の抵抗低減が可能である。試作した素子のしきい値は2.8V、オン抵抗は165mΩcm^2、耐圧は500V以上であり、低オン抵抗と高耐圧が両立したノーマリオフ動作が実現できた。また、チャネル幅340mmの素子において、70A以上の最大ドレイン電流が得られた。以上の結果は、本構造がパワーエレクトロニクス用素子として有望であることを示している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-11-12

著者

• 佐藤 義浩

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 神林 宏

  古河電工 横浜研究所

• 神林 宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 新山 勇樹

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 加藤 禎宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 加藤 禎宏

  古河電工

• 野村 剛彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社横浜研究所

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