新山 勇樹 | 次世代パワーデバイス技術研究組合

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概要

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関連著者

• 神林 宏

  古河電工 横浜研究所

• 神林 宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 新山 勇樹

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 加藤 禎宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 加藤 禎宏

  古河電工

• 佐藤 義浩

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  古河電工 横浜研究所

• 新山 勇樹

  古河電工

• 大友 晋哉

  古河電工

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所次世代技術センター

• 吉田 清輝

  古河電気工業(株)

• 池田 成明

  古河電工 横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工 横浜研究所

• 加藤 禎宏

  古河電工横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工

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著作論文

• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500V/2A動作
• GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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