吉田 清輝 | 古河電気工業(株)

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概要

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• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所次世代技術センター

• 吉田 清輝

  古河電気工業(株)

• 吉田 清輝

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 李 江

  古河電工

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 李 江

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 城川 潤二郎

  古河電工(株)横浜研究所

• 神林 宏

  古河電工 横浜研究所

• 神林 宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 池田 成明

  古河電工

• 城川 潤二郎

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 尾鍋 研太郎

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 増田 満

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 Ganプロジェクトチーム

• 吉田 清輝

  古河電工 横浜研究所

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 尾鍋 研太郎

  東京大学

• 吉田 清輝

  古河電工(株)横浜研究所

• 白木 靖寛

  東京大学

• 市川 昌和

  Jrcat-atp

• 尾鍋 研太郎

  東大

• 市川 昌和

  Jrcat

• 王 徳亮

  JRCAT

• 池田 成明

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 佐藤 義浩

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 池田 成明

  古河電工 横浜研究所

• 李 江

  古河電工 横浜研究所

• 増田 満

  古河電工 横浜研究所

• 野村 剛彦

  古河電工 横浜研究所

• 加藤 禎宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 加藤 禎宏

  古河電工

• 岩見 正之

  古河電工横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電工(株)横浜研究所

• 石井 宏辰

  古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター

• 鈴木 譲

  古河電気工業(株)横浜研究所

• 李 江

  古河電工(株)横浜研究所

• 和田 崇宏

  古河電工(株)横浜研究所

• 竹原 洋斉

  古河電工(株)横浜研究所

• 鈴木 譲

  古河電気工業

• 石井 宏辰

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 石井 宏辰

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 池田 成明

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 加藤 禎宏

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 神林 宏

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 岩見 正之

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 佐藤 義浩

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 新山 勇樹

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 新山 勇樹

  古河電工

• 大友 晋哉

  古河電工

• 佐藤 義浩

  古河電工横浜研究所

• 加藤 禎宏

  古河電工横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工横浜研究所

• 賀屋 秀介

  古河電工横浜研究所

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 李 江

  古河電工横浜研究所

• 和田 崇宏

  古河電工横浜研究所

• 竹原 洋斉

  古河電工横浜研究所

• 賀屋 秀介

  次世代パワーデバイス技術研究組合

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著作論文

• GaNP SQWを用いた青色LED (窒化物・青色光半導体)
• GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
• 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
• 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
• GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
• CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 「結晶成長の科学と技術」小特集にあたって
• 高温動作GaN MESFET
• 高温動作GaN MESFET
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
• ハイパワーAlGaN/GaN HFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
• MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
• ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
• 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlGaN/GaNパワーFET

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