白木 靖寛 | 東京大学

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概要

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関連著者

• 尾鍋 研太郎

  東京大学

• 白木 靖寛

  東京大学

• 尾鍋 研太郎

  東大

• 尾鍋 研太郎

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 白木 靖寛

  東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センタ

• 片山 竜二

  東大新領域

• 城川 潤二郎

  古河電工(株)横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所次世代技術センター

• 吉田 清輝

  古河電気工業(株)

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 城川 潤二郎

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西川 敦

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 片山 竜二

  東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻

• 黒田 正行

  東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻

• 片山 竜二

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 尾鍋 研太郎

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 片山 竜二

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 黒田 正行

  東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻

• 吉田 清輝

  古河電工(株)横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電工(株)横浜研究所

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著作論文

• RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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