立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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本研究では,MOVPE成長した立方晶Al_<0.1> Ga_0.9> N/GaN/GaAs(001)ヘテロ構造に形成したショットキ電極を用いてエレクトロリフレクタンス(Electroreflectance,ER)測定を行なった.光バイアスを照射しない場合AlGaN,GaN層からの信号に加えてGaAs層からの信号が重畳して観測されるのに対し,Ar^+ レーザをバイアス光として用い定常照射を行うことでGaAs層からの信号が顕著に低減することから,GaN/GaAs界面とGaNからのER信号を区別できることが示された.またERスペクトルから見積もられる立方晶GaN,AlGaNのE_0 臨界点の温度依存性から,本測定のように変調電界が強い場合においては励起子遷移ではなく自由キャリアの遷移が観測されることが確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
尾鍋 研太郎
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
尾鍋 研太郎
東京大学
-
白木 靖寛
東京大学
-
片山 竜二
東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
-
黒田 正行
東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
-
白木 靖寛
東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センタ
-
片山 竜二
東大新領域
-
片山 竜二
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
尾鍋 研太郎
東大
-
黒田 正行
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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