HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
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概要
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- 2009-03-09
著者
-
林 慶寿
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
杉浦 俊
名古屋大学
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
-
岸本 茂
名大院工
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