AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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電流DLTSによりAlGaN/GaN HEMTの過渡応答の振舞いを評価した。電子トラップと二つのホールトラップ的信号を観測した。電子トラップの活性化エネルギーは0.61eVで容量DLTSにより測定されたn-GaNの欠陥準位と近い値であった。ホールトラップ的信号はホールトラップによるものではなく、HEMTのゲート・ソース、ゲート・ドレイン間領域での表面準位へのゲートからの電子注入と捕獲・放出に対応する。
- 2003-09-26
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
沖野 徹
名古屋大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
落合 大
名古屋大学工学研究科 量子工学専攻
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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