カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で,各種界面の特性を理解し,制御することが重要である.本報告では,high-k絶縁膜を堆積した場合に導入される界面電荷の影響について,素子特性解析やC-V特性解析に基づいて述べる.さらに,界面電荷を利用したCNFETの特性制御の可能性について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-02-15
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
森山 直希
名古屋大学工学研究科
-
北村 隆光
名古屋大学工学研究科
-
鈴木 耕佑
名古屋大学工学研究科
-
鈴木 耕介
名古屋大学工学研究科
-
大野 雄高
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
-
岸本 茂
名大院工
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