大野 雄高 | 名古屋大学工学研究科
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概要
関連著者
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名大院工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
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鈴木 耕佑
名古屋大学工学研究科
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鈴木 耕介
名古屋大学工学研究科
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科
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岸本 茂
名大工
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水谷 孝
名大工
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合田 祐司
名古屋大学工学研究科
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林 慶寿
名古屋大学工学研究科
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能生 陽介
名大工
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森山 直希
名古屋大学工学研究科
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北村 隆光
名古屋大学工学研究科
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村上 陽一
東大院工
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丸山 茂夫
東大工
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小林 篤史
名大工
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岩崎 慎也
名大工
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沖川 侑揮
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
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丸山 茂夫
東京大学
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村上 陽一
東大工
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能生 陽介
名古屋大学大学院工学研究科
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曽我 育生
名古屋大学大学院工学研究科
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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岩崎 慎也
名古屋大学
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村上 陽一
東京大学
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大野 雄高
名大院・工
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島内 英樹
名大工
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大中 啓史
名大工
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小島 慶祐
名大工
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丸山 茂樹
東大工
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻
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小島 慶祐
名大工:jstさきがけ
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大中 啓史
名大工:jstさきがけ
-
島内 英樹
名大工:jstさきがけ
著作論文
- 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 24pWB-8 カーボンナノチューブエレクトロニクスにおける環境効果(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRC-8 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける環境効果(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pUB-7 カーボンナノチューブFETの現状と将来(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブの光電子機能デバイス応用 (カーボンナノチューブの発光・光学特性とその応用)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)