水谷 孝 | 名古屋大学工学研究科

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋大学工学研究科の論文著者

関連著者

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 大野 雄高

  名大工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 岸本 茂

  名大院工

• 大野 雄高

  名古屋大学工学研究科

• 川野 陽一

  名古屋大学工学研究科

• 横山 雄司

  名古屋大学工学研究科

• 横山 雄司

  名古屋大学大学院工学研究科

• 林 慶寿

  名古屋大学工学研究科

• 篠原 久典

  名大理

• 篠原 久典

  名古屋大

• 篠原 久典

  名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 川野 陽一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 篠原 久典

  名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻

• 沖野 徹

  名古屋大学工学部

• 大川 洋平

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 落合 大

  名古屋大学工学研究科 量子工学専攻

• 酒向 万里生

  名古屋大学工学研究科

• 秋田 光俊

  名古屋大学工学研究科

• 篠原 久典

  名大院理

• 合田 祐司

  名古屋大学工学研究科

• 曽我 育生

  名古屋大学大学院工学研究科

• 亀谷 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 赤松 和弘

  日鉱金属株式会社

• 中田 弘章

  日鉱金属株式会社

• 小本 芳裕

  名古屋大学工学研究科

• 宮崎 英志

  名古屋大学工学研究科

• 宮崎 英志

  名古屋大学

• 丸山 茂夫

  東京大学大学院工学系研究科

• 鈴木 耕佑

  名古屋大学工学研究科

• 鈴木 耕介

  名古屋大学工学研究科

• 大川 洋平

  名古屋大学大学院工学研究科

• 杉山 裕和

  名古屋大学 工学研究科

• 村上 陽一

  東大院工

• 嶋田 行志

  名古屋大学工学研究科

• 石田 将史

  名古屋大学理学研究科

• 酒井 朗

  東京大学工学研究科

• 黒川 雄斗

  名古屋大学工学研究科

• 村上 陽一

  東京大学工学研究科

• 丸山 茂夫

  東京大学工学研究科

• 松原 渉

  名古屋大学工学研究科

• 杉浦 俊

  名古屋大学工学研究科

• 岡崎 俊也

  名大院理

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 岡崎 俊也

  名古屋大学大学院理学研究科

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 岡崎 俊也

  産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター

• 岩附 伸也

  名古屋大学工学研究科

• 杉浦 俊

  名古屋大学

• 仲尾 健

  名古屋大学工学研究科

• 黒川 雄斗

  さきがけ

• 大坂 次郎

  名古屋大学工学部

• 西浦 政人

  名古屋大学工学部

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 村田 智洋

  名古屋大学工学研究科

• 中村 文彦

  パウデック(株)

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 森山 直希

  名古屋大学工学研究科

• 北村 隆光

  名古屋大学工学研究科

• 李 旭

  名古屋大学工学研究科

• 黒内 正仁

  名古屋大学工学研究科

• 古川 幸喜

  名古屋大学工学研究科

• 高草木 操

  (株)日鉱マテリアルズ

• 酒井 朗

  名古屋大

• 安藤 浩哉

  豊田工業高等専門学校

• 能生 陽介

  名大工

• 能生 陽介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 村上 陽一

  名古屋大学理学研究科

• 丸山 茂夫

  名古屋大学工学研究科

• 篠原 久典

  東京大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 玉村 敏昭

  Ntt 光エレクトロニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT物性科学基礎研究所

• 安藤 浩哉

  豊田工業高等専門学校情報工学科

• 玉村 敏昭

  Ntt物性科学基礎研究所

• 川田 健二

  名古屋大学量子工学

• 川田 健二

  名古屋大学

• 角田 梓

  富山大学工学部

• 安藤 浩哉

  豊田高専

• 安藤 浩哉

  名古屋大学 工学部

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• OOKAWA Yohei

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 菅井 俊樹

  名古屋大学理学研究科・高等研究院

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  Ntt-lsi研究所

• 高草木 操

  日鉱マテリアルズ 戸田プラント

• 中田 弘章

  日鉱マテリアルズ 戸田プラント

• 中田 弘章

  (株)日鉱金属

• 尾関 宣仁

  名古屋大学工学研究科

• 菅井 俊樹

  Nagoya University

• 前田 親志

  名古屋大学工学研究科

• 森 雅之

  富山大学理工学教育部:研究部

• 青山 朋子

  名古屋大学大学院工学研究科

• 沖川 侑揮

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 中山 幸二

  富山大学大学院

• 岸本 茂

  名古屋大学大学院工学研究科

• 角田 梓

  富山大学大学院理工学研究部

• 伊藤 泰平

  富山大学大学院理工学研究部

• 安井雄 一郎

  富山大学大学院理工学研究部

• 森雅 之

  富山大学大学院理工学研究部

• 丸山 茂夫

  東大工

• 丸山 茂夫

  東京大学

• 小林 篤史

  名大工

• 岸本 茂

  名大工

• 水谷 孝

  名大工

• 岩崎 慎也

  名大工

• 岩崎 慎也

  名古屋大学

• 村上 陽一

  東京大学

• 林 将司

  名古屋大学工学研究科

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 玉村 敏昭

  Ntt物性科学基礎研究所:nttエレクトロニクス

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 熊田 圭一郎

  名古屋大学工学研究科

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 丸山 茂樹

  東大工

• 山中 一彦

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 東條 友昭

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 小野澤 和利

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 水谷 孝

  名古屋大学量子工学

• 田中 哲朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• シング ビラハム

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 川野 陽一

  (現)(株)富士通研究所フォトエレクトロニクス研究所

• 赤松 和弘

  (株)日鉱金属

• 酒向 万里男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 小木 芳裕

  名古屋大学工学研究科

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 室矢 祐作

  名古屋大学工学研究科

• 田中 哲郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 岸本 茂

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 川野 陽一

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 前澤 宏一

  名古屋大学工学研究科量子工学専攻

• 水谷 孝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育学部

• 宮崎 英志

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
• AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
• CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 (マイクロ波)
• 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
• カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• CT-2-3 カーボンナノチューブFETの現状と課題(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
• カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定
• 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• CNT電界効果トランジスタ
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
• 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
• 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた分周器における入力信号歪みの影響
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた新しい分周器
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
• 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
• AS-4-4 高速化に適した周波数変調方式ΔΣADCの検討(AS-4.アナログ信号処理,基礎・境界)
• C-10-3 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣA/D変換器の構成(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
• カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
• C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
• C-10-8 MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-7 サブサンプリング方式共鳴トンネルFMΔΣA/D変換器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• A-2-23 共鳴トンネルカオス回路を用いた高速信号生成回路(A-2.非線形問題,基礎・境界)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
• C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
• SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• C-10-3 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの極限高速化 : クロックの分配
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
• C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
• C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMT におけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ケルビンプローブフォース顕微鏡への期待
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性の温度依存性
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性の温度依存性
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)

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