ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定
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概要
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KFM法をバイアスを印加したHEMTに適用し、ゲート電極のドレイン側端に電界集中を観測するなど、本方法が電位分布測定に有用であることを示した。また本方法をGaAs/AlGaAs, InAlAs/InGaAs多層ヘテロ構造の電位分布測定に適用し、仕事関数差を反映した電位分布を得ることができた。またヘテロ構造の電位分布測定から、識別可能な最小厚みは40nm程度であることを示した。今後の課題としては、表面準位の影響の解明等が残されている。本技術はHEMTに限らず他の種々のデバイスに適応可能であり、デバイスシミュレーション技術と組み合わせることにより、新しいミクロな電位分布測定技術として発展することが期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
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