p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。作製したp-InGaN cap (800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。この値はInGaN capなしHEMTsの-1.1V、i-InGaN cap HEMTsの-0.2Vに比べて、それぞれ2.2V、1.3Vのシフト量である。p-InGaN cap (800℃) HEMTsのg_<mmax>はInGaN capなしHEMTsのg_<mmax> 128mS/mmよりも大きな値146mS/mmを示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-11-20

著者

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 中村 文彦

  パウデック(株)

• 李 旭

  名古屋大学工学研究科

• 黒内 正仁

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名大院工

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