AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• AlNセラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置・配線技術を用いた.これにより,大容量のチップコンデンサをRTDの近傍に配置することが可能になった.49GHzで安定した発振が得られ,100kHzオフセットで-100dBc/Hzという良好な位相ノイズ特性が得られた.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-02-19

著者

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 前澤 宏一

  富山大学 工学部電気電子システム工学科

• 前沢 宏一

  NTT LSI研究所

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 亀谷 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 赤松 和弘

  日鉱金属株式会社

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  NTT LSI Laboratories

• 前澤 宏一

  早大理工

• 前澤 宏一

  富山大学理工学教育部:研究部

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名大院工

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