カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiO_2/Si基坂上にパターニングした金属触媒を用いて熱化学気相成長(熱CVD)法によりカーボンナノチューブの位置制御成長を行うとともに、それを用いてナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNT FET)の作製を行った。触媒にはCoとPtの二層金属触媒を用いた。熱CVDの原料ガスにはエタノールとアルゴンの混合ガスを用いることで、品質の良い単層カーボンナノチューブを得た。作製したCNT FETは良好な特性を示すとともに、室温において周期的なクーロン振動を観察した。作製したFETのうち、76%の素子がトランジスタ動作を示した。なお、半導体的ナノチューブに加え金属的ナノチューブを有し、ドレイン電流がピンチオフしないFETにおいては、高いバイアスを印加して金属的ナノチューブのみを破壊することによりピンチオフ特性の改善が可能であった。また、トップゲート構造を導入したCNT FETの動作も確認した。
- 2003-02-04
著者
-
大野 雄高
名大工
-
篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
篠原 久典
名大理
-
岡崎 俊也
名大院理
-
篠原 久典
名古屋大
-
岡崎 俊也
名古屋大学大学院理学研究科
-
篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
-
岡崎 俊也
産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
-
岩附 伸也
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
関連論文
- 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
- 走査トンネル分光によるオクタンチオールSAM上のLu@C_のエネルギー準位の評価(有機材料,一般)
- 走査型トンネル顕微鏡によるオクタンチオール自己組織化単分子膜上の単一Lu内包フラーレンの分子配向変化の観察(発光・表示記録用有機材料およびデバイス・一般)
- 走査型トンネル顕微鏡によるオクタンチオール自己組織化単分子膜上の単一Lu内包フラーレンの分子配向変化の観察(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- アルカンチオール自己組織化単分子膜上における単一Lu内包フラーレンの走査トンネル分光マッピング(表示用有機材料・デバイスその他,一般)
- CS-9-4 単一金属内包フラーレン分子配向スイッチ(CS-9.有機エレクトロニクス・分子エレクトロニクスの新展開,シンポジウム)
- 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 24pWB-8 カーボンナノチューブエレクトロニクスにおける環境効果(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRC-8 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける環境効果(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pUB-7 カーボンナノチューブFETの現状と将来(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける励起子遷移と周辺環境効果
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- ナノ構造技術
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- 24aRB-1 カーボンナノチューブにおける超伝導相と朝永・ラッティンジャー液体相の競合の観察(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRJ-4 超伝導多層カーボンナノチューブにおける磁化測定(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYB-3 多孔質アルミナ膜一次元細孔を鋳型にしたナノチューブ生成と超伝導(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYE-9 金属内包フラーレンSc_3N@C_の電子状態と内包クラスターの構造(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pRC-2 Ti_2C_2@C_の紫外光電子スペクトル(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-12 Lu_2C_2@C_の紫外光電子スペクトル(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-11 複核イットリウム原子内包フラーレンの紫外光電子スペクトル(3)(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 23aWB-1 二層カーボンナノチューブの電荷輸送特性(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 23aXF-6 カーボンナノチューブ・ナノピーポットにおける輸送特性の温度依存性
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (シリコン材料・デバイス)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (電子デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
- 12pWF-1 孤立二層カーボンナノチューブにおける G プライムバンドラマン分光(ナノチューブ物性, 領域 7)
- メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- カーボンナノチューブトランジスタの可能性
- C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
- C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
- C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
- SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- GaN HEMTの電流コラプス
- C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
- C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- 光学的手法を用いたカーボンナノチューブFETの解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMT におけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- カーボンナノチューブFETの作製と評価 (特集2 カーボンナノチューブトランジスタの開発・集積化と性能評価)
- カーボンナノチューブの光電子機能デバイス応用 (カーボンナノチューブの発光・光学特性とその応用)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 8aSD-7 電界効果型トランジスター構造をもちいた金属内包フラーレン・ピーポッドの電子物性(電解効果ドーピング,領域7)