GaN HEMTの電流コラプス
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概要
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AlGaN/GaN HEMTにドレイン電流コラプスについて、電気的特性の測定と光照射実験からその機構を考察した。電気的特性評価では、ゲート電圧ストレスにより生じる大きなコラプスについて注目し、コラプスの大きさのストレス電圧依存性と印加時間依存性、およびコラプスの回復時間を調べた。光照射実験では、空間分解した光を素子に部分的に照射しコラプスの原因となるトラップの存在する領域を調べた。その結果から、ゲートードレイン間の表面準位に電子が蓄積し、仮想的なゲートを形成することによりコラプスが生じることを述べる。
- 2002-01-09
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