共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
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概要
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MOBILEは共鳴トンネル素子(RTD)の負性微分抵抗を利用した超高速論理ゲートで,直列に接続された二つのRTDとRTDに並列に接続した高移動度トランジスタ(HEMT)から構成される.超高速動作のためには様々なパラメータの影響について考慮しなければならない.特にHEMTのゲート幅とRTDの面積の関係は重要なパラメータであり,その最適化を考える必要がある.本論文では,現実的な回路動作条件におけるMOBILEのシミュレーションを行いHEMTのゲート幅が小さいほど,より高速での動作が期待できることを明らかにした.
- 2002-03-01
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
青山 朋子
名古屋大学大学院工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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