異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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我々は、異種基板上への集積化技術としてFluidic Assembly (FA)法を検討している。これは、液体中に配置した基板上に微小半導体デバイスブロックを散布し、必要な場所にそれを配置する技術である。本研究では、FA技術の応用として、高周波素子のセラミック基板上への直接集積を行った。GaAs系HEMTをAINセラミック基板上へ集積し、プレーナプロセスによりHEMTに対して配線を行った。集積後のHEMTにおいて、良好なFET特性と高周波特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
曽我 育生
名古屋大学大学院工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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