フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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フラーレンを内包したカーボンナノチューブ"ピーポッド"をSiO_2/Si基板上に直接合成することを可能とした.SiO_2/Si基板上にCVDにより成長した高品質な単層ナノチューブについて, 空気中で加熱することにより先端キャップを除去した後, 気相法によりフラーレンをドープした.TEM観察によりC_<60>およびGd@C_<82>の内包を確認した.ラマン散乱分光解析から, フラーレンを内包するための単層ナノチューブの最小の直径がC_<60>については1.28nmおよびGd@C_<82>については1.43nmであることを明らかにするとともに, 内包可能なナノチューブにおいては内包率が高いことを示した.基板上にピーポッドを直接合成する方法を用いてGd@C_<82>ピーポッドFETを作製した.ドレイン電流の温度依存性からそのGd@C_<82>ピーポッドのバンドギャップは∿100meVであることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科
-
村上 陽一
東大院工
-
篠原 久典
名大院理
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
黒川 雄斗
さきがけ
-
嶋田 行志
名古屋大学工学研究科
-
石田 将史
名古屋大学理学研究科
-
村上 陽一
名古屋大学理学研究科
-
酒井 朗
東京大学工学研究科
-
丸山 茂夫
名古屋大学工学研究科
-
篠原 久典
東京大学工学研究科
-
黒川 雄斗
名古屋大学工学研究科
-
村上 陽一
東京大学工学研究科
-
丸山 茂夫
東京大学工学研究科
-
篠原 久典
名大理
-
酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
酒井 朗
名古屋大学
-
篠原 久典
名古屋大
-
篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
-
酒井 朗
名古屋大
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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