酒井 朗 | 名古屋大学
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概要
関連著者
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酒井 朗
名古屋大学
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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酒井 朗
大阪大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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安田 幸夫
名古屋大学工学部
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
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安田 幸夫
名古屋大学
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小川 正毅
名古屋大学
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酒井 朗
名古屋大
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酒井 朗
東京大学工学研究科
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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世古 明義
名古屋大学
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近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
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Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
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坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
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坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
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近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
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Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
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Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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丸山 茂夫
東京大学大学院工学系研究科
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村上 陽一
東大院工
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篠原 久典
名大院理
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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黒川 雄斗
さきがけ
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嶋田 行志
名古屋大学工学研究科
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石田 将史
名古屋大学理学研究科
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黒川 雄斗
名古屋大学工学研究科
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村上 陽一
東京大学工学研究科
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丸山 茂夫
東京大学工学研究科
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篠原 久典
名大理
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渡辺 行彦
豊田中央研究所
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中塚 理
名古屋大学
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渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
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篠原 久典
名古屋大
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篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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村上 陽一
名古屋大学理学研究科
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丸山 茂夫
名古屋大学工学研究科
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篠原 久典
東京大学工学研究科
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佐合 寿文
名古屋大学大学院工学研究科
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田岡 紀之
産業技術総合研究所
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泉川 健太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
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堀 勝
名古屋大学
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酒井 朗
Nec基礎研究所
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水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
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水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
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堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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鬼頭 伸幸
名古屋大学大学院工学研究科
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
名古屋大学
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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望月 省吾
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科
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宮崎 香代子
名古屋大学大学院工学研究科
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河合 圭吾
名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社
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Hiramatsu M
Nano Factory Graduate School Of Science And Technology Meijo University
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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黒田 尚孝
Nec光・超高周波デバイス研究所
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砂川 晴夫
NEC光・無線デバイス研究所
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碓井 彰
NEC光・無線デバイス研究所
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Hori Masaru
School Of Engineering Nagoya University
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池田 浩也
名古屋大学
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後藤 覚
名古屋大学
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本多 一隆
名古屋大学
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財満 鎮明
名古屋大学
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碓井 彰
Nec光・超高周波デバイス研究所
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科:(現)東芝セミコンダクター社
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砂川 晴夫
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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碓井 彰
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
著作論文
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
- Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
- SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
- 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
- Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 「IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開」小特集にあたって(小特集序文)
- 選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- エピタキシャル成長技術の進展を振り返って(第5章 最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御
- 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
- パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
- ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
- 選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造