Si_<1-x>Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)

概要

論文の詳細を見る
Si系半導体デバイスにおけるチャネル領域への積極的な歪の導入が検討され,歪チャネルの次世代高速デバイスへの応用研究が盛況である.次世代歪チャネルデバイスとして期待を集める大きな歪量を持つ歪チャネルの実現には,Si(001)基板もしくはSOI(001)基板上バッファ層を形成するためのヘテロエピタキシャル成長が必須とされる.今回,その高い結晶品質を満たすべく,新しい結晶成長技術によって歪緩和Si_<1-x>Ge_xバッファ層を作製する手法を確立した.本手法では,ダイヤモンド型格子に特有のすべり転位(60°転位)による歪緩和でなく,刃状転位によってSi_<1-x>Ge_x層を歪緩和させるため,結晶の微小傾斜や小ドメイン化といったモザイシティを大幅に低減することができる.本稿では,本手法によって形成されたSi_<1-x>Ge_xバッファ層の結晶性に重要な役割を果たす転位の構造・形態について詳細に解析した結果を報告し,それらの相関について議論する.
日本結晶成長学会の論文
2005-06-30